Brugerdefineret halvleder siliciumcarbid båd

Kort beskrivelse:

WeiTai Energy Technology Co., Ltd. er en førende leverandør med speciale i wafer og avancerede halvlederforbrugsstoffer.Vi er dedikerede til at levere pålidelige og innovative produkter af høj kvalitet til halvlederfremstilling,solcelleindustrienog andre relaterede områder.

Vores produktlinje inkluderer SiC/TaC-belagte grafitprodukter og keramiske produkter, der omfatter forskellige materialer såsom siliciumcarbid, siliciumnitrid og aluminiumoxid og etc.

Som en betroet leverandør forstår vi vigtigheden af ​​forbrugsstoffer i fremstillingsprocessen, og vi er forpligtet til at levere produkter, der opfylder de højeste kvalitetsstandarder for at opfylde vores kunders behov.


Produktdetaljer

Produkt Tags

Siliciumcarbid er en ny type keramik med høj omkostningsydelse og fremragende materialeegenskaber.På grund af funktioner som høj styrke og hårdhed, høj temperaturbestandighed, stor termisk ledningsevne og kemisk korrosionsbestandighed, kan siliciumcarbid næsten modstå alle kemiske medier.Derfor er SiC meget brugt i olieminedrift, kemikalier, maskiner og luftrum, selv atomenergi og militæret har deres særlige krav til SIC.Nogle normale anvendelser, vi kan tilbyde, er tætningsringe til pumpe, ventil og beskyttende panser osv.

Vi er i stand til at designe og fremstille efter dine specifikke dimensioner med god kvalitet og rimelig leveringstid.

xghnzcvb
zfbcxv

Afordele:

Høj temperatur oxidationsbestandighed

Fremragende korrosionsbestandighed

God slidstyrke

Høj varmeledningskoefficient
Selvsmøring, lav densitet
Høj hårdhed
Tilpasset design.

Ansøgninger:

-Slidbestandigt felt: bøsning, plade, sandblæsningsdyse, cyklonforing, slibetønde osv...

-Højtemperaturfelt: siC-plade, bratkøleovnsrør, strålingsrør, digel, varmeelement, rulle, bjælke, varmeveksler, koldluftrør, brændermundstykke, termoelementbeskyttelsesrør, SiC-båd, ovnbilstruktur, sætter osv.

-Militært skudsikkert felt

-Silicon Carbide Semiconductor: SiC wafer båd, sic chuck, sic pagaj, sic kassette, sic diffusionsrør, wafer gaffel, sugeplade, guideway osv.

-Silicon Carbide Seal Field: alle slags tætningsringe, lejer, bøsninger osv.

- Fotovoltaisk felt: Cantilever-pagaj, slibetønde, siliciumcarbidvalse osv.

- Lithium batterifelt

微信图片_20230719092847

Tekniske parametre:

图片2

Materiale datablad

材料Materiale

R-SiC

使用温度Arbejdstemperatur (°C)

1600°C (氧化气氛Oxiderende miljø)

1700°C (还原气氛Reducerende miljø)

SiC含量SiC indhold (%)

> 99

自由Si含量Gratis Si-indhold (%)

< 0,1

体积密度Bulkdensitet (g/cm3)

2,60-2,70

气孔率Tilsyneladende porøsitet (%)

< 16

抗压强度Knusningsstyrke (MPa)

> 600

常温抗弯强度Koldbøjningsstyrke (MPa)

80-90 (20°C)

高温抗弯强度Varmbøjningsstyrke (MPa)

90-100 (1400°C)

热膨胀系数

Termisk udvidelseskoefficient @1500°C (10-6/°C)

4,70

导热系数Termisk ledningsevne @1200°C (W/mK)

23

杨氏模量Elastikmodul (GPa)

240

抗热震性Modstandsdygtighed over for termisk stød

很好Yderst god


  • Tidligere:
  • Næste: