Siliciumcarbidsubstrater|SiC-wafere

Siliciumcarbidsubstrater|SiC-wafers Udvalgt billede

Kort beskrivelse:

Semicera Energy Technology Co., Ltd. er en førende leverandør med speciale i wafer og avancerede halvlederforbrugsstoffer. Vi er dedikerede til at levere pålidelige og innovative produkter af høj kvalitet til halvlederfremstilling, solcelleindustrien og andre relaterede områder.

Vores produktlinje inkluderer SiC/TaC-belagte grafitprodukter og keramiske produkter, der omfatter forskellige materialer såsom siliciumcarbid, siliciumnitrid og aluminiumoxid og etc.

På nuværende tidspunkt er vi den eneste producent, der leverer en renhed på 99,9999% SiC-belægning og 99,9% omkrystalliseret siliciumcarbid. Den maksimale SiC-belægningslængde kan vi lave 2640 mm.

Send e-mail til os

Produktdetaljer

Produkt Tags

Siliciumcarbid (SiC) enkeltkrystalmateriale har en stor båndspaltebredde (~Si 3 gange), høj termisk ledningsevne (~Si 3,3 gange eller GaAs 10 gange), høj elektronmætning migrationshastighed (~Si 2,5 gange), høj elektrisk nedbrydning felt (~Si 10 gange eller GaAs 5 gange) og andre fremragende egenskaber.

SiC-enheder har uerstattelige fordele inden for høje temperaturer, højt tryk, højfrekvente elektroniske enheder med høj effekt og ekstreme miljømæssige applikationer, såsom rumfart, militær, atomenergi osv., kompenserer i praksis for defekterne ved traditionelle halvledermaterialer. applikationer og er efterhånden ved at blive mainstream af effekthalvledere.

4H-SiC Siliciumcarbid substratspecifikationer

Vare项目	Specifikationer参数
Polytype 晶型	4H-SiC	6H-SiC
Diameter 晶圆直径	2 tommer \| 3 tommer \| 4 tommer \| 6 tommer	2 tommer \| 3 tommer \| 4 tommer \| 6 tommer
Tykkelse 厚度	330 μm ~ 350 μm	330 μm ~ 350 μm
Ledningsevne 导电类型	N – type / Halvisolerende N型导电片/ 半绝缘片	N – type / Halvisolerende N型导电片/ 半绝缘片
Dopant 掺杂剂	N2 (nitrogen)V (vanadium)	N2 ( Nitrogen ) V ( Vanadium )
Orientering 晶向	På aksen <0001> Off-akse <0001> off 4°	På aksen <0001> Off-akse <0001> off 4°
Resistivitet 电阻率	0,015 ~ 0,03 ohm-cm (4H-N)	0,02 ~ 0,1 ohm-cm (6H-N)
Micropipe Density (MPD) 微管密度	≤10/cm2 ~ ≤1/cm2	≤10/cm2 ~ ≤1/cm2
TTV 总厚度变化	≤ 15 μm	≤ 15 μm
Bue / Warp 翘曲度	≤25 μm	≤25 μm
Overflade 表面处理	DSP/SSP	DSP/SSP
Grad 产品等级	Produktions-/forskningskarakter	Produktions-/forskningskarakter
Krystalstablingssekvens 堆积方式	ABCB	ABCABC
Gitter parameter 晶格参数	a=3,076A, c=10,053A	a=3,073A, c=15,117A
F.eks./eV(Band-gap) 禁带宽度	3,27 eV	3,02 eV
ε(dielektrisk konstant) 介电常数	9.6	9,66
Brydningsindeks 折射率	n0 = 2,719 ne = 2,777	n0 = 2,707, ne = 2,755

6H-SiC siliciumcarbid substratspecifikationer

Vare项目	Specifikationer参数
Polytype 晶型	6H-SiC
Diameter 晶圆直径	4 tommer \| 6 tommer
Tykkelse 厚度	350μm ~ 450μm
Ledningsevne 导电类型	N – type / Halvisolerende N型导电片/ 半绝缘片
Dopant 掺杂剂	N2(nitrogen) V (vanadium)
Orientering 晶向	<0001> off 4°± 0,5°
Resistivitet 电阻率	0,02 ~ 0,1 ohm-cm (6H-N type)
Micropipe Density (MPD) 微管密度	≤ 10/cm2
TTV 总厚度变化	≤ 15 μm
Bue / Warp 翘曲度	≤25 μm
Overflade 表面处理	Si Face: CMP, Epi-Ready C Ansigt: Optisk polering
Grad 产品等级	Forskningskarakter