God stabilitet højtemperaturbestandigt siliciumcarbid ovnrør

Kort beskrivelse:

WeiTai Energy Technology Co., Ltd. er en førende leverandør med speciale i wafer og avancerede halvlederforbrugsstoffer.Vi er dedikerede til at levere pålidelige og innovative produkter af høj kvalitet til halvlederfremstilling,solcelleindustrienog andre relaterede områder.

Vores produktlinje inkluderer SiC/TaC-belagte grafitprodukter og keramiske produkter, der omfatter forskellige materialer såsom siliciumcarbid, siliciumnitrid og aluminiumoxid og etc.

Som en betroet leverandør forstår vi vigtigheden af forbrugsstoffer i fremstillingsprocessen, og vi er forpligtet til at levere produkter, der opfylder de højeste kvalitetsstandarder for at opfylde vores kunders behov.

Send e-mail til os

Produktdetaljer

Produkt Tags

Siliciumcarbid er en ny type keramik med høj omkostningsydelse og fremragende materialeegenskaber. På grund af funktioner som høj styrke og hårdhed, høj temperaturbestandighed, stor termisk ledningsevne og kemisk korrosionsbestandighed, kan siliciumcarbid næsten modstå alle kemiske medier. Derfor er SiC meget brugt i olieminedrift, kemikalier, maskiner og luftrum, selv atomenergi og militæret har deres særlige krav til SIC. Nogle normale anvendelser, vi kan tilbyde, er tætningsringe til pumpe, ventil og beskyttende panser osv.

Vi er i stand til at designe og fremstille efter dine specifikke dimensioner med god kvalitet og rimelig leveringstid.

Vi kan levere stabile og pålideligesiliciumcarbid krystalbåde,siliciumcarbid skovle,ovnrør af siliciumcarbidtil 4 tommer til 6 tommer halvlederwaferindustrien. Renheden kan nå 99,9% uden at forurene waferen.

Siliciumcarbid ovnrørbruges hovedsageligt til: 4-6 tommer siliciumwafer LTO= silica, SIPOS= oxy-polysilicium, SI3N4= siliciumnitrid, PSG= phosphosiliconeglas, POLY= polysiliciumfilmvækst. Det er råmaterialet gas (eller flydende kilde forgasning) aktiveret af termisk energi til at generere en fast film på overfladen af substratet. Kemisk lavtryksdampaflejring udføres ved lavt tryk, på grund af det lave tryk er den gennemsnitlige frie vej for gasmolekyler stor, så ensartetheden af den dyrkede film er god, og substratet kan placeres lodret og mængden af belastning er stor, især velegnet til store integrerede kredsløb, diskrete enheder, kraftelektronik, optoelektroniske enheder og optisk fiber og andre industrier af industriel produktion specialudstyr.

Ansøgninger:

-Slidbestandigt felt: bøsning, plade, sandblæsningsdyse, cyklonforing, slibetønde osv...

-Højtemperaturfelt: siC-plade, bratkøleovnsrør, strålingsrør, digel, varmeelement, rulle, bjælke, varmeveksler, koldluftrør, brændermundstykke, termoelementbeskyttelsesrør, SiC-båd, ovnbilstruktur, sætter osv.

-Militært skudsikkert felt

-Silicon Carbide Semiconductor: SiC wafer båd, sic chuck, sic pagaj, sic kassette, sic diffusionsrør, wafer gaffel, sugeplade, guideway, osv.

-Silicon Carbide Seal Field: alle slags tætningsringe, lejer, bøsninger osv.

- Fotovoltaisk felt: Cantilever-pagaj, slibetønde, siliciumcarbidvalse osv.

- Lithium batterifelt