Beskrivelse
Grafit Susceptoren medSiliciumcarbid belægning, 6 stk6 tommer wafer Carrierfra semicera tilbyder enestående holdbarhed og termisk ledningsevne til højtydende epitaksial vækstapplikationer. Semicera har specialiseret sig i avancerede susceptorer designet til at forbedre processer som f.eksSi EpitaksiogSiC Epitaksi, der sikrer pålidelig ydeevne i krævende halvledermiljøer.
Denne susceptor er specielt udviklet til brug medMOCVD Susceptorsystemer og tilbyder kompatibilitet med forskellige bærere såsom PSS Etching Carrier, ICP Etching Carrier og RTP Carrier. Den er ideel til produktion af monokrystallinsk silicium og LED Epitaxial Susceptor-opsætninger og tilbyder alsidighed i forskellige konfigurationer, herunder Barrel Susceptor og Pancake Susceptor-design.
Grafitsusceptoren med siliciumcarbidbelægning understøtter også applikationer i solenergisektoren gennem sin integration med fotovoltaiske dele og udmærker sig i GaN på SiC-epitaxiprocesser. Dens 6-tommers wafer-bærerkapacitet sikrer høj gennemstrømning, hvilket gør den til et vigtigt værktøj for producenter i halvleder- og fotovoltaiske industrier.
Hovedtræk
1.Høj renhed SiC-belagt grafit
2. Overlegen varmebestandighed og termisk ensartethed
3. FintSiC krystal belagtfor en glat overflade
4. Høj holdbarhed mod kemisk rengøring
Hovedspecifikationer for CVD-SIC belægninger:
SiC-CVD | ||
Tæthed | (g/cc) | 3.21 |
Bøjningsstyrke | (Mpa) | 470 |
Termisk ekspansion | (10-6/K) | 4 |
Termisk ledningsevne | (W/mK) | 300 |
Pakning og forsendelse
Forsyningsevne:
10000 styk/stykker om måneden
Emballage og levering:
Emballage: Standard og stærk emballage
Polypose + æske + karton + palle
Havn:
Ningbo/Shenzhen/Shanghai
Leveringstid:
Antal (stykker) | 1-1000 | >1000 |
Est. Tid (dage) | 30 | Skal forhandles |