Semicera høj renhedSiliciumcarbid pagajer omhyggeligt konstrueret til at imødekomme de strenge krav fra moderne halvlederfremstillingsprocesser. DenneSiC Cantilever-pagajudmærker sig i højtemperaturmiljøer og tilbyder uovertruffen termisk stabilitet og mekanisk holdbarhed. SiC Cantilever-strukturen er bygget til at modstå ekstreme forhold, hvilket sikrer pålidelig wafer-håndtering gennem forskellige processer.
En af de vigtigste innovationer iSiC pagajer dets lette, men robuste design, som giver mulighed for nem integration i eksisterende systemer. Dens høje termiske ledningsevne hjælper med at opretholde waferens stabilitet under kritiske faser såsom ætsning og aflejring, hvilket minimerer risikoen for waferskader og sikrer højere produktionsudbytte. Brugen af high-density siliciumcarbid i skovlkonstruktionen øger dens modstandsdygtighed over for slid, hvilket giver forlænget driftslevetid og reducerer behovet for hyppige udskiftninger.
Semicera lægger stor vægt på innovation og leverer enSiC Cantilever-pagajsom ikke kun opfylder, men overgår industristandarder. Denne pagaj er optimeret til brug i forskellige halvlederapplikationer, fra deponering til ætsning, hvor præcision og pålidelighed er afgørende. Ved at integrere denne banebrydende teknologi kan producenterne forvente forbedret effektivitet, reducerede vedligeholdelsesomkostninger og ensartet produktkvalitet.
| Fysiske egenskaber af omkrystalliseret siliciumcarbid | |
| Ejendom | Typisk værdi |
| Arbejdstemperatur (°C) | 1600°C (med ilt), 1700°C (reducerende miljø) |
| SiC indhold | > 99,96 % |
| Gratis Si-indhold | < 0,1 % |
| Bulkdensitet | 2,60-2,70 g/cm3 |
| Tilsyneladende porøsitet | < 16 % |
| Kompressionsstyrke | > 600 MPa |
| Koldbøjningsstyrke | 80-90 MPa (20°C) |
| Varmbøjningsstyrke | 90-100 MPa (1400°C) |
| Termisk ekspansion ved 1500°C | 4,70 10-6/°C |
| Termisk ledningsevne @1200°C | 23 W/m•K |
| Elastikmodul | 240 GPa |
| Modstandsdygtighed over for termisk stød | Yderst god |
