Høj renhed tantalcarbid produkttilpasning

Kort beskrivelse:

TaC-belægning er en ny generation af højtemperaturbestandigt materiale med bedre højtemperaturstabilitet end SiC, da en korrosionsbestandig belægning, oxidationsbestandig belægning, slidbestandig belægning, kan bruges i miljøet over 2000 ℃, meget udbredt i luft- og rumfart. høj temperatur varme ende dele, tredje generation af halvleder enkelt krystal vækst og andre områder.

Send e-mail til os

Produktdetaljer

Produkt Tags

Semicera leverer specialiserede tantalcarbid (TaC) belægninger til forskellige komponenter og bærere.Semicera Semicera førende belægningsproces gør det muligt for tantalcarbid (TaC)-belægninger at opnå høj renhed, høj temperaturstabilitet og høj kemisk tolerance, hvilket forbedrer produktkvaliteten af SIC/GAN-krystaller og EPI-lag (Grafitbelagt TaC-susceptor), og forlænge levetiden af nøglereaktorkomponenter. Brugen af tantalcarbid TaC-belægning er at løse kantproblemet og forbedre kvaliteten af krystalvækst, og Semicera har gennembrud løst tantalcarbidbelægningsteknologien (CVD) og nåede det internationale avancerede niveau.

Efter års udvikling har Semicera erobret teknologienCVD TaCmed fælles indsats fra R&D-afdelingen. Defekter er let at opstå i vækstprocessen af SiC wafers, men efter brugTaC, forskellen er betydelig. Nedenfor er en sammenligning af wafers med og uden TaC, samt Semicera' dele til enkeltkrystalvækst

Tac del til vækst enkeltkrystal

Antislid tantalcarbid belægning_ Beskytter udstyr mod slid og korrosion Udvalgt billede

Grafit med TaC belagt ring

med og uden TaC

Efter brug af TaC (højre)

Derudover er levetiden for Semiceras TaC-belægningsprodukter længere og mere modstandsdygtig over for høje temperaturer end SiC-belægningens. Efter lang tids laboratoriemålingsdata kan vores TaC arbejde i lang tid ved maksimalt 2300 grader Celsius. Følgende er nogle af vores eksempler: