Semicera præsenterer brugerdefineret høj kvalitetsiliciumcarbid udkragede skovlelavet til at løfte halvlederfremstillingsprocesser. Det innovativeSiC pagajdesign sikrer enestående holdbarhed og høj termisk modstand, hvilket gør det til en vigtig komponent til waferhåndtering i udfordrende højtemperaturmiljøer.
DeSiliciumcarbid pagajer bygget til at modstå ekstreme termiske cyklusser, samtidig med at den strukturelle integritet opretholdes, hvilket sikrer pålidelig wafer-transport under kritiske faser af halvlederproduktion. Med overlegen mekanisk styrke, dettewafer bådminimerer risikoen for beskadigelse af wafers, hvilket fører til højere udbytte og ensartet produktionskvalitet.
En af de vigtigste innovationer i Semiceras SiC-pagaj ligger i dens brugerdefinerede designmuligheder. Skræddersyet til at imødekomme specifikke produktionsbehov tilbyder padlen fleksibilitet i integration med forskellige udstyrsopsætninger, hvilket gør den til en ideel løsning til moderne fremstillingsprocesser. Den lette, men robuste konstruktion muliggør nem håndtering og reducerer driftsnedetid, hvilket bidrager til forbedret effektivitet i halvlederproduktion.
Ud over dets termiske og mekaniske egenskaber er denSiliciumcarbid pagajtilbyder fremragende kemisk resistens, hvilket gør det muligt at fungere pålideligt selv i barske kemiske miljøer. Dette gør det særligt velegnet til brug i processer, der involverer ætsning, aflejring og højtemperaturbehandling, hvor opretholdelse af integriteten af waferbåden er afgørende for at sikre output af høj kvalitet.
Fysiske egenskaber af omkrystalliseret siliciumcarbid | |
Ejendom | Typisk værdi |
Arbejdstemperatur (°C) | 1600°C (med ilt), 1700°C (reducerende miljø) |
SiC indhold | > 99,96 % |
Gratis Si-indhold | < 0,1 % |
Bulkdensitet | 2,60-2,70 g/cm3 |
Tilsyneladende porøsitet | < 16 % |
Kompressionsstyrke | > 600 MPa |
Koldbøjningsstyrke | 80-90 MPa (20°C) |
Varmbøjningsstyrke | 90-100 MPa (1400°C) |
Termisk ekspansion ved 1500°C | 4,70 10-6/°C |
Termisk ledningsevne @1200°C | 23 W/m•K |
Elastikmodul | 240 GPa |
Modstandsdygtighed over for termisk stød | Yderst god |