Siliciumcarbid ovnrørhar fordelene ved høj styrke, høj hårdhed, god slidstyrke, høj temperaturbestandighed, korrosionsbestandighed, god termisk stødbestandighed, høj termisk ledningsevne, god oxidationsmodstand og så videre. Anvendes hovedsageligt i mellemfrekvent støbning, forskellige varmebehandlingsovne, metallurgi, kemisk industri, ikke-jernholdigt metalsmedning og andre erhverv.Siliciumcarbid ovnrører meget udbredt i metallurgisk sintringsovn og mellemfrekvent opvarmningsstøbeovn, og dens længde kan tilpasses i henhold til stedets faktiske behov.
Karakteristika vedovnrør af siliciumcarbid
Siliciumcarbid ovnrør er et fremragende produkt af siliciumcarbid sintret ved høj temperatur med siliciumcarbid som hovedråmateriale. Det har fordelene ved høj temperaturbestandighed, korrosionsbestandighed, hurtig termisk ledningsevne, høj styrke, høj hårdhed, god slidstyrke, god termisk stødbestandighed, stor termisk ledningsevne, god oxidationsmodstand og så videre. Begge ender er udstyret med specielle højtemperaturisoleringsbøsninger, korrosion af metalopløsning til elektriske varmeelementer (inklusive siliciumcarbidstang, elektrisk ovntråd osv.) kan effektivt undgås, og indikatorerne er bedre end alle slags grafitprodukter . Siliciumcarbid ovnrøret har termisk ledningsevne, oxidationsmodstand, termisk stødmodstand, høj temperatur slidstyrke, god kemisk stabilitet, stærk syrebestandighed, ingen reaktion på stærk syre og alkali.
Siliciumcarbid ovnrørProduktionsteknologi: det færdige produkt tager siliciumcarbid som det primære råmateriale og er et fremragende siliciumcarbid færdigt produkt brændt af speciel teknologi ved høj temperatur. Længdestandarden kan tilpasses efter kundernes faktiske behov. De vigtigste anvendelser af siliciumcarbid ovnrør: udbredt i ikke-jernholdigt metal træning, aluminiumsprodukter afgasning system, trykning og farvning maskiner, zink og aluminium uddannelse og færdige produkter.
Industriel udvikling af siliciumcarbid
Siliciumcarbid har karakteristika af høj inputimpedans, lav støj, god linearitet osv., er et af de hurtigt udviklende siliciumcarbidtilbehør og det første til at opnå kommercialisering. Sammenlignet med MOSFET'er er der ingen pålidelighedsproblemer forårsaget af gateoxiddefekter og begrænsninger af lav bærermobilitet, og dens unipolære driftsegenskaber opretholder god højfrekvensdriftsevne. Derudover har siliciumkarbidforbindelsesstrukturen bedre stabilitet og pålidelighed ved høje temperaturer, så tærskelspændingen normalt er negativ, det vil sige den normalt åbne enhed, som er ekstremt ugunstig for kraftelektronikapplikationer og ikke er kompatibel med den nuværende almindelige drevkredsløb. Ved at introducere teknologien til rilleindsprøjtningsanordningen udvikles den forbedrede anordning under normal slukket tilstand. Forbedrede enheder er dog ofte dannet på bekostning af visse positive egenskaber for on-modstand, så normalt åben (udtømningstype) er nemmere at opnå højere effekttæthed og strømkapacitet, og udtømningstype kan opnås ved at kaskadere normalt slukket driftstilstand. Kaskademetoden implementeres gennem en række lavspændingssiliciumbaserede MOSFET'er. Det kaskadestyrede drevkredsløb er naturligt kompatibelt med det generelle siliciumenhedsdrevkredsløb. Denne kaskadestruktur er meget velegnet til at erstatte det originale silicium i højspændings- og højeffekttilfælde og undgår direkte kompatibilitetsproblemet med drivkredsløbet.
Indlægstid: 25. september 2023