CVD Bulk Silicium Carbide (SiC)
Oversigt:CVDbulk siliciumcarbid (SiC)er et meget eftertragtet materiale inden for plasmaætsningsudstyr, applikationer til hurtig termisk behandling (RTP) og andre halvlederfremstillingsprocesser. Dets exceptionelle mekaniske, kemiske og termiske egenskaber gør det til et ideelt materiale til avancerede teknologiapplikationer, der kræver høj præcision og holdbarhed.
Anvendelser af CVD Bulk SiC:Bulk SiC er afgørende i halvlederindustrien, især i plasmaætsningssystemer, hvor komponenter som fokusringe, gasbrusehoveder, kantringe og plader nyder godt af SiC's enestående korrosionsbestandighed og termiske ledningsevne. Dens anvendelse strækker sig tilRTPsystemer på grund af SiC's evne til at modstå hurtige temperaturudsving uden væsentlig nedbrydning.
Udover ætseudstyr, CVDbulk SiCer foretrukket i diffusionsovne og krystalvækstprocesser, hvor høj termisk stabilitet og modstandsdygtighed over for barske kemiske miljøer er påkrævet. Disse egenskaber gør SiC til det foretrukne materiale til krævende applikationer, der involverer høje temperaturer og ætsende gasser, såsom dem, der indeholder klor og fluor.
Fordele ved CVD Bulk SiC-komponenter:
•Høj densitet:Med en densitet på 3,2 g/cm³,CVD bulk SiCkomponenter er meget modstandsdygtige over for slid og mekanisk påvirkning.
•Overlegen termisk ledningsevne:Med en termisk ledningsevne på 300 W/m·K, styrer bulk SiC effektivt varme, hvilket gør den ideel til komponenter, der udsættes for ekstreme termiske cyklusser.
•Ekstraordinær kemisk modstand:SiC's lave reaktivitet med ætsende gasser, herunder klor og fluorbaserede kemikalier, sikrer forlænget komponentlevetid.
•Justerbar modstand: CVD bulk SiC'erresistivitet kan tilpasses inden for området 10⁻²–10⁴ Ω-cm, hvilket gør den tilpasselig til specifikke ætsnings- og halvlederproduktionsbehov.
•Termisk udvidelseskoefficient:Med en termisk ekspansionskoefficient på 4,8 x 10⁻⁶/°C (25-1000°C) modstår CVD bulk SiC termisk stød og bibeholder dimensionsstabiliteten selv under hurtige opvarmnings- og afkølingscyklusser.
•Holdbarhed i plasma:Eksponering for plasma og reaktive gasser er uundgåelig i halvlederprocesser, menCVD bulk SiCtilbyder overlegen modstandsdygtighed over for korrosion og nedbrydning, hvilket reducerer udskiftningsfrekvensen og de samlede vedligeholdelsesomkostninger.
Tekniske specifikationer:
•Diameter:Større end 305 mm
•Resistivitet:Justerbar inden for 10⁻²–10⁴ Ω-cm
•Tæthed:3,2 g/cm³
•Termisk ledningsevne:300 W/m·K
•Termisk udvidelseskoefficient:4,8 x 10⁻⁶/°C (25-1000°C)
Tilpasning og fleksibilitet:PåSemicera Semiconductor, forstår vi, at hver halvlederapplikation kan kræve forskellige specifikationer. Det er derfor, vores CVD bulk SiC-komponenter kan tilpasses fuldt ud, med justerbar modstand og skræddersyede dimensioner, så de passer til dine udstyrsbehov. Uanset om du optimerer dine plasmaætsningssystemer eller leder efter holdbare komponenter i RTP- eller diffusionsprocesser, leverer vores CVD bulk SiC uovertruffen ydeevne.
