Hjem
Om os
Produkter
Kontakt os
Feature
Ofte stillede spørgsmål
Nyheder
- Virksomhedsnyheder
- Industri nyheder

Hjem
Wafer
SiC substrat

Kategorier

CVD SiC belægning
CVD TaC belægning
Overfladebehandlingsteknologi
Siliciumcarbid keramik
Halvleder kvarts
Halvleder grafitprodukter
- Silikoniseret grafit
- Isostatiske grafitkomponenter
Kulfiber
Wafer
Flere keramiske produkter

Udvalgte produkter

Tantalcarbide TaC CVD-belægning brugerdefinerede dele
Tantalcarbid belagt ring
Højpræcision SiC keramisk effektor
Cantilever-pagaj af siliciumcarbid
Lang levetid SiC-coated grafitbærer til så...
Siliciumcarbidbelagt grafitværktøj, til Epitaxy C...
Anti-oxidation høj renhed SiC belagt MOCVD bakke
SiC belægning tøndestruktur til tøndesusceptor
Halvleder anden halvdel dele til epitaksial

SiC substrat

6 lnch n-type sic substrat
2~6 tommer 4° off-angle P-type 4H-SiC substrat
4″ 6″ 8″ ledende og halvisolerende underlag
4″ 6″ halvisolerende SiC-substrat
8lnch n-type ledende SiC-substrat
4″ 6″ Semi-isolerende SiC Ingot med høj renhed
4″6″ 8″ N-type SiC Ingot
6 tommer N-type SiC Wafer
P-type SiC Substrate Wafer
8 tommer N-type SiC Wafer
4 tommer N-type SiC-substrat
6 tommer halvisolerende HPSI SiC Wafer

1 2 Næste >>> Side 1/2

information

Virksomhedsprofil
Kontakt os
Certificering & Ære
Produkter

ny sletter

For forespørgsler om vores produkter eller prisliste, bedes du efterlade din e-mail til os, og vi vil kontakte os inden for 24 timer.

Forespørgsel til prisliste

vores kontakt

86-13373889683
nr. 777, Zhongguan West Road, Zhenhai District, Ningbo, Zhejiang, 315201, Kina
sales01@semi-cera.com

© Copyright - 2018-2027: Alle rettigheder forbeholdes.Sitemap
Si Wafer, tantalcarbid, TaC belægning, SiC substrat, Epi Wafer, Kina grafitfilt og stiv filt,