På nuværende tidspunkt omfatter fremstillingsmetoderne til SiC-belægning hovedsageligt gel-sol-metoden, indlejringsmetoden, børstebelægningsmetoden, plasmasprøjtemetoden, kemisk gasreaktionsmetode (CVR) og kemisk dampaflejringsmetode (CVD).
Indlejringsmetode:
Metoden er en slags højtemperatur fastfasesintring, som hovedsageligt bruger blandingen af Si-pulver og C-pulver som indlejringspulver, grafitmatrixen placeres i indlejringspulveret, og højtemperatursintringen udføres i den inerte gas og endelig opnås SiC-belægningen på overfladen af grafitmatrixen.Processen er enkel, og kombinationen mellem belægningen og substratet er god, men ensartetheden af belægningen langs tykkelsesretningen er dårlig, hvilket er let at producere flere huller og fører til dårlig oxidationsmodstand.
Børstebelægningsmetode:
Børstebelægningsmetoden er hovedsageligt at børste det flydende råmateriale på overfladen af grafitmatrixen og derefter hærde råmaterialet ved en bestemt temperatur for at forberede belægningen.Processen er enkel, og omkostningerne er lave, men belægningen fremstillet ved børstebelægningsmetoden er svag i kombination med substratet, belægningens ensartethed er dårlig, belægningen er tynd, og oxidationsmodstanden er lav, og andre metoder er nødvendige for at hjælpe det.
Plasma sprøjtemetode:
Plasmasprøjtemetoden er hovedsageligt at sprøjte smeltede eller halvsmeltede råmaterialer på overfladen af grafitmatrixen med en plasmapistol og derefter størkne og binde til en belægning.Metoden er enkel at betjene og kan fremstille en relativt tæt siliciumcarbidbelægning, men siliciumcarbidbelægningen fremstillet ved metoden er ofte for svag og fører til svag oxidationsmodstand, så den bruges generelt til fremstilling af SiC-kompositbelægning for at forbedre kvaliteten af belægningen.
Gel-sol metode:
Gel-sol-metoden er hovedsageligt at fremstille en ensartet og gennemsigtig solopløsning, der dækker overfladen af matrixen, tørrer til en gel og derefter sintring for at opnå en belægning.Denne metode er enkel at betjene og lav i omkostninger, men den fremstillede belægning har nogle mangler, såsom lav termisk stødmodstand og let revnedannelse, så den kan ikke anvendes bredt.
Kemisk gasreaktion (CVR):
CVR genererer hovedsageligt SiC-belægning ved at bruge Si- og SiO2-pulver til at generere SiO-damp ved høj temperatur, og en række kemiske reaktioner forekommer på overfladen af C-materialesubstratet.SiC-belægningen fremstillet ved denne metode er tæt bundet til substratet, men reaktionstemperaturen er højere, og omkostningerne er højere.
Kemisk dampaflejring (CVD):
På nuværende tidspunkt er CVD den vigtigste teknologi til fremstilling af SiC-belægning på substratoverfladen.Hovedprocessen er en række fysiske og kemiske reaktioner af gasfasereaktantmateriale på substratoverfladen, og endelig fremstilles SiC-belægningen ved aflejring på substratoverfladen.SiC-belægningen fremstillet ved CVD-teknologi er tæt bundet til overfladen af substratet, hvilket effektivt kan forbedre oxidationsmodstanden og ablativ modstand af substratmaterialet, men aflejringstiden for denne metode er længere, og reaktionsgassen har en vis giftig gas.
Indlægstid: 06-november 2023