Siliciumcarbid waferer lavet af højrent siliciumpulver og højrent kulstofpulver som råmateriale, og siliciumcarbidkrystal dyrkes ved fysisk dampoverførselsmetode (PVT) og forarbejdes tilsiliciumcarbid wafer.
① Råvaresyntese.Højrent siliciumpulver og højrent kulstofpulver blev blandet i henhold til et bestemt forhold, og siliciumcarbidpartikler blev syntetiseret ved høj temperatur over 2.000 ℃.Efter knusning, rengøring og andre processer fremstilles de højrente siliciumcarbidpulverråmaterialer, der opfylder kravene til krystalvækst.
② Krystalvækst.Ved at bruge SIC-pulver med høj renhed som råmateriale blev krystallen dyrket ved fysisk dampoverførsel (PVT) metode under anvendelse af en selvudviklet krystalvækstovn.
③ ingot behandling.Den opnåede siliciumcarbidkrystalbarre blev orienteret med røntgen-enkeltkrystalorientator, derefter malet og valset og bearbejdet til siliciumcarbidkrystal med standarddiameter.
④ Krystalskæring.Ved hjælp af multi-line skæreudstyr skæres siliciumcarbidkrystaller i tynde plader med en tykkelse på højst 1 mm.
⑤ Spånslibning.Waferen males til den ønskede fladhed og ruhed ved hjælp af diamantslibevæsker af forskellige partikelstørrelser.
⑥ Spånpolering.Det polerede siliciumcarbid uden overfladeskader blev opnået ved mekanisk polering og kemisk mekanisk polering.
⑦ Chipdetektion.Brug optisk mikroskop, røntgendiffraktometer, atomkraftmikroskop, berøringsfri resistivitetstester, overfladefladhedstester, overfladedefekt-omfattende tester og andre instrumenter og udstyr til at detektere mikrotubuli-densiteten, krystalkvaliteten, overfladeruhed, resistivitet, vridning, krumning, tykkelsesændring, overfladeridser og andre parametre for siliciumcarbidwafer.Ifølge denne bestemmes chippens kvalitetsniveau.
⑧ Spånrensning.Siliciumcarbidpoleringsarket rengøres med rengøringsmiddel og rent vand for at fjerne den resterende poleringsvæske og andet overfladesnavs på polerarket, og derefter blæses waferen og rystes tør af nitrogen- og tørremaskine med ultrahøj renhed;Waferen er indkapslet i en clean sheet-boks i et superrent kammer for at danne en nedstrøms klar-til-brug siliciumcarbid wafer.
Jo større chipstørrelsen er, jo sværere er den tilsvarende krystalvækst- og forarbejdningsteknologi, og jo højere produktionseffektivitet af downstream-enheder er, jo lavere enhedsomkostninger.
Indlægstid: 24. november 2023