Halvleder Silicium baseret GaN epitaksi

Kort beskrivelse:

Semicera Energy Technology Co., Ltd. er en førende leverandør af avanceret halvlederkeramik og den eneste producent i Kina, der samtidigt kan levere højrent siliciumcarbidkeramik (især omkrystalliseret SiC) og CVD SiC-belægning.Derudover er vores virksomhed også forpligtet til keramiske områder som aluminiumoxid, aluminiumnitrid, zirconia og siliciumnitrid osv.

 

Produktdetaljer

Produkt Tags

Siliciumbaseret GaN-epitaksi

Produkt beskrivelse

Vores virksomhed leverer SiC-belægningsprocestjenester ved CVD-metoden på overfladen af ​​grafit, keramik og andre materialer, således at specielle gasser, der indeholder kulstof og silicium, reagerer ved høj temperatur for at opnå høj renhed SiC-molekyler, molekyler aflejret på overfladen af ​​de belagte materialer, danner SIC-beskyttelseslag.

Hovedtræk:

1. Høj temperatur oxidationsmodstand:

oxidationsmodstanden er stadig meget god, når temperaturen er så høj som 1600 C.

2. Høj renhed: Fremstillet ved kemisk dampaflejring under højtemperaturkloreringsbetingelser.

3. Erosionsbestandighed: høj hårdhed, kompakt overflade, fine partikler.

4. Korrosionsbestandighed: syre, alkali, salt og organiske reagenser.

Hovedspecifikationer for CVD-SIC belægning

SiC-CVD egenskaber

Krystal struktur

FCC β-fase

Massefylde

g/cm³

3.21

Hårdhed

Vickers hårdhed

2500

Kornstørrelse

μm

2~10

Kemisk renhed

%

99,99995

Varmekapacitet

J·kg-1 ·K-1

640

Sublimeringstemperatur

2700

Feleksural styrke

MPa (RT 4-punkts)

415

Youngs modul

Gpa (4pt bøjning, 1300 ℃)

430

Termisk udvidelse (CTE)

10-6K-1

4.5

Varmeledningsevne

(W/mK)

300

Semicera Arbejdsplads
Semicera arbejdsplads 2
Udstyr maskine
CNN-behandling, kemisk rensning, CVD-belægning
Vores service

  • Tidligere:
  • Næste: