Beskrivelse
CVD-SiC-belægning har karakteristika af ensartet struktur, kompakt materiale, høj temperaturbestandighed, oxidationsmodstand, høj renhed, syre- og alkaliresistens og organisk reagens med stabile fysiske og kemiske egenskaber.
Sammenlignet med grafitmaterialer med høj renhed begynder grafit at oxidere ved 400°C, hvilket vil forårsage tab af pulver på grund af oxidation, hvilket resulterer i miljøforurening til perifere enheder og vakuumkamre og øger urenhederne i miljøet med høj renhed.
SiC-belægning kan dog opretholde fysisk og kemisk stabilitet ved 1600 grader. Det er meget udbredt i moderne industri, især i halvlederindustrien.
Vores virksomhed leverer SiC-belægningsprocestjenester ved CVD-metode på overfladen af grafit, keramik og andre materialer, således at specielle gasser, der indeholder kulstof og silicium, reagerer ved høj temperatur for at opnå høj renhed SiC-molekyler, molekyler aflejret på overfladen af de belagte materialer, danner SIC-beskyttelseslag. Den dannede SIC er fast bundet til grafitbasen, hvilket giver grafitbasen specielle egenskaber, hvilket gør grafittens overflade kompakt, porøsitetsfri, højtemperaturbestandighed, korrosionsbestandighed og oxidationsbestandighed.
Anvendelse
Hovedtræk
1.Høj renhed SiC-belagt grafit
2. Overlegen varmebestandighed og termisk ensartethed
3. Fin SiC krystal belagt for en glat overflade
4. Høj holdbarhed mod kemisk rengøring
Hovedspecifikationer for CVD-SIC belægninger
| SiC-CVD | ||
| Tæthed | (g/cc) | 3.21 |
| Bøjningsstyrke | (Mpa) | 470 |
| Termisk ekspansion | (10-6/K) | 4 |
| Termisk ledningsevne | (W/mK) | 300 |
Pakning og forsendelse
Forsyningsevne:
10000 styk/stykker om måneden
Emballage og levering:
Emballage: Standard og stærk emballage
Polypose + æske + karton + palle
Havn:
Ningbo/Shenzhen/Shanghai
Leveringstid:
| Antal (stykker) | 1 – 1000 | >1000 |
| Est. Tid (dage) | 15 | Skal forhandles |
