Beskrivelse
Vores virksomhed leverer SiC-belægningsprocestjenester ved CVD-metode på overfladen af grafit, keramik og andre materialer, således at specielle gasser, der indeholder kulstof og silicium, reagerer ved høj temperatur for at opnå høj renhed SiC-molekyler, molekyler aflejret på overfladen af de belagte materialer, danner SIC-beskyttelseslag.
Hovedtræk
1.Høj renhed SiC-belagt grafit
2. Overlegen varmebestandighed og termisk ensartethed
3. Fin SiC krystal belagt for en glat overflade
4. Høj holdbarhed mod kemisk rengøring
Hovedspecifikationer for CVD-SIC belægning
| SiC-CVD egenskaber | ||
| Krystal struktur | FCC β-fase | |
| Tæthed | g/cm³ | 3.21 |
| Hårdhed | Vickers hårdhed | 2500 |
| Kornstørrelse | μm | 2~10 |
| Kemisk renhed | % | 99,99995 |
| Varmekapacitet | J·kg-1 ·K-1 | 640 |
| Sublimeringstemperatur | ℃ | 2700 |
| Feleksural styrke | MPa (RT 4-punkt) | 415 |
| Youngs modul | Gpa (4pt bøjning, 1300 ℃) | 430 |
| Termisk udvidelse (CTE) | 10-6K-1 | 4.5 |
| Termisk ledningsevne | (W/mK) | 300 |
