Semicera leverer specialiserede tantalcarbid (TaC) belægninger til forskellige komponenter og bærere.Semicera førende belægningsproces gør det muligt for tantalcarbid (TaC)-belægninger at opnå høj renhed, høj temperaturstabilitet og høj kemisk tolerance, hvilket forbedrer produktkvaliteten af SIC/GAN-krystaller og EPI-lag (Grafitbelagt TaC-susceptor), og forlænge levetiden af nøglereaktorkomponenter.Brugen af tantalcarbid TaC-belægning er at løse kantproblemet og forbedre kvaliteten af krystalvækst, og Semicera har gennembrud løst tantalcarbidbelægningsteknologien (CVD) og nåede det internationale avancerede niveau.
Grafit er et fremragende højtemperaturmateriale, men det oxiderer let ved høje temperaturer.Selv i vakuumovne med inert gas kan den stadig undergå langsom oxidation.Brug af en CVD tantalcarbid (TaC) belægning kan effektivt beskytte grafitsubstratet, hvilket giver samme højtemperaturbestandighed som grafit.TaC er også et inert materiale, hvilket betyder, at det ikke vil reagere med gasser som argon eller brint ved høje temperaturer.ForespørgselTantalkarbid CVD belægningsdigel nu!
med og uden TaC
Efter brug af TaC (højre)
Desuden Semicera'sTaC-belagte produkterudviser en længere levetid og større modstandsdygtighed over for høje temperaturer i forhold tilSiC belægninger.Laboratoriemålinger har vist, at voresTaC belægningerkan konsekvent udføre ved temperaturer op til 2300 grader Celsius i længere perioder.Nedenfor er nogle eksempler på vores prøver:
