Siliciumcarbidbelagt epitaksial reaktorrør

Kort beskrivelse:

Semicera er en højteknologisk virksomhed, der har beskæftiget sig med materialeforskning i mange år, med et førende R&D-team og integreret F&U og fremstilling.Giv tilpasset siliciumcarbidbelagt epitaksial reaktorrør at diskutere med vores tekniske eksperter, hvordan du får den bedste ydeevne og markedsfordel for dine produkter.

Send e-mail til os

Produktdetaljer

Produkt Tags

Hvorfor er siliciumcarbid belægning?

På halvlederområdet er stabiliteten af hver komponent meget vigtig for hele processen.I et miljø med høje temperaturer er grafit dog let oxideret og tabt, og SiC-belægning kan give stabil beskyttelse af grafitdele.I denSemicerateam, vi har vores eget grafitrensningsbehandlingsudstyr, som kan kontrollere renheden af grafit under 5 ppm.Renheden af siliciumcarbidbelægningen er også under 5 ppm.

Vores fordel, hvorfor vælge Semicera?

✓ Topkvalitet på det kinesiske marked

✓ God service altid til dig, 7*24 timer

✓Kort leveringsdato

✓ Lille MOQ velkommen og accepteret

✓ Tilpassede tjenester

Ansøgning

Epitaksi vækstsusceptor

Silicium/siliciumcarbid wafers skal gennemgå flere processer for at blive brugt i elektroniske enheder.En vigtig proces er silicium/sic epitaksi, hvor silicium/sic wafers bæres på en grafitbase.Særlige fordele ved Semiceras siliciumcarbid-belagte grafitbase omfatter ekstrem høj renhed, ensartet belægning og ekstremt lang levetid.De har også høj kemisk resistens og termisk stabilitet.

Silicium Epitaksi Susceptor

Siliciumcarbid epitaksi Susceptor

LED-chip produktion

Under den omfattende belægning af MOCVD-reaktoren flytter planetbasen eller bæreren substratwaferen.Grundmaterialets ydeevne har stor indflydelse på belægningskvaliteten, hvilket igen påvirker spånens skrothastighed.Semiceras siliciumcarbid-coatede base øger produktionseffektiviteten af højkvalitets LED-wafere og minimerer bølgelængdeafvigelse.Vi leverer også yderligere grafitkomponenter til alle MOCVD-reaktorer, der i øjeblikket er i brug.Vi kan belægge næsten enhver komponent med en siliciumcarbidbelægning, selvom komponentens diameter er op til 1,5M, kan vi stadig belægge med siliciumcarbid.

LED Epitaksi Susceptor

Halvlederfelt, Oxidationsdiffusionsproces, Etc.

I halvlederprocessen kræver oxidationsekspansionsprocessen høj produktrenhed, og hos Semicera tilbyder vi special- og CVD-belægningstjenester til størstedelen af siliciumcarbiddele.

Det følgende billede viser den råforarbejdede siliciumcarbidopslæmning fra Semicea og siliciumcarbidovnsrøret, der renses i 1000-niveaustøvfriværelse.Vores arbejdere arbejder før coating.Renheden af vores siliciumcarbid kan nå 99,98%, og renheden af sic coating er større end 99,9995%.