Beskrivelse
Wafer CarriersmedSiliciumcarbid (SiC) belægningfra semicera er ekspertdesignet til højtydende epitaksial vækst, hvilket sikrer optimale resultater iSi EpitaksiogSiC Epitaksiapplikationer. Semiceras præcisionskonstruerede bærere er bygget til at modstå ekstreme forhold, hvilket gør dem til væsentlige komponenter i MOCVD Susceptor-systemer til industrier, der kræver høj nøjagtighed og holdbarhed.
Disse waferbærere er alsidige og understøtter kritiske processer med udstyr som f.eksPSS Etching Carrier, ICP Etching Carrier, ogRTP-bærer. Deres robuste SiC Coating forbedrer ydeevnen til applikationer som f.eksLED epitaksialSusceptor og monokrystallinsk silicium, der sikrer ensartede resultater selv i krævende miljøer.
Tilgængelige i flere konfigurationer, såsom Barrel Susceptor og Pancake Susceptor, spiller disse bærere en afgørende rolle i fotovoltaisk og halvlederfremstilling, understøtter produktionen af fotovoltaiske dele og letter GaN på SiC-epitaxiprocesser. Med deres overlegne design er disse bærere et nøgleaktiv for producenter, der sigter efter højeffektiv produktion.
Hovedtræk
1.Høj renhed SiC-belagt grafit
2. Overlegen varmebestandighed og termisk ensartethed
3. FintSiC krystal belagtfor en glat overflade
4. Høj holdbarhed mod kemisk rengøring
Hovedspecifikationer for CVD-SIC belægninger:
SiC-CVD | ||
Tæthed | (g/cc) | 3.21 |
Bøjningsstyrke | (Mpa) | 470 |
Termisk ekspansion | (10-6/K) | 4 |
Termisk ledningsevne | (W/mK) | 300 |
Pakning og forsendelse
Forsyningsevne:
10000 styk/stykker om måneden
Emballage og levering:
Emballage: Standard og stærk emballage
Polypose + æske + karton + palle
Havn:
Ningbo/Shenzhen/Shanghai
Leveringstid:
Antal (stykker) | 1-1000 | >1000 |
Est. Tid (dage) | 30 | Skal forhandles |